NコネクタハイパワーSPNT RFスイッチ

NコネクタハイパワーSPNT RFスイッチ

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NコネクタハイパワーSPNT RFスイッチ

Nコネクタスイッチ

5V/12V/24V/28V電源
位置指示機能オプション
Dタイプ9/15ピンコネクタまたはPINコネクタ
標準またはTTL電気レベルドライブ

 


製品の詳細

タイプ

●ハイパワーSPNT同軸スイッチ
●使用周波数:DC-12.4GHz/18GHz
●RFコネクタ:メスN/SCタイプ
●反射性

RF性能

高アイソレーション: 6GHz で 80 dB 以上、12.4GHz で 70 dB 以上。
低い VSWR: 6GHz で 1.3 未満、12.4GHz で 1.5 未満。
低Ins.less: 6GHzで0.3dB未満、12.4GHzで0.5dB未満。

RF 再テストの安定性と長寿命

挿入損失繰り返しテストの安定性: 6GHz で 0.02dB、12.4GHz で 0.03dB。
200万回のライフサイクルを保証(シングルチャネル周回200万回)。

RFスイッチの動作原理

1. RFアドミタンスレベルスイッチは3端子Cote-Shield技術を採用し、検出電極に付着した物質による制御効果への影響を排除します。電子回路で生成された高周波信号は、一方の側では検出電極に直接送信され、もう一方の側では RF ボルテージフォロワを介して付着防止保護スリーブに送信されます。そのサイズと位相は、プローブ ロッドに追加された信号と同じです。物質がプローブに付着すると、保護スリーブとビンの壁の間に静電容量が形成され、保護スリーブに加えられた高周波信号が静電容量を飽和させ、プローブ上の高周波信号がプローブに流れ込むことができなくなります。接着剤層を介して容器の壁に浸透します。容器内の大量の物質がプローブに接触すると、プローブの電流が飽和領域をバイパスして容器の壁に流れ、物質の存在を示す信号が生成されます。

2. RF アドミッタンス レベル スイッチは、高周波技術を使用して、電子回路からプローブ上に小電力 RF 信号を生成します。プローブは、レベルの誘電率によって引き起こされる信号の変化をレベルにフィードバックする検出素子として機能します。電子回路。これらの変化には静電容量やコンダクタンスの変化も含まれるため、電子回路ではリアクタンス(容量性リアクタンスとインピーダンスを総合的に変化させた信号)信号を処理します。

3. リアクタンスの変化により、ポール上の高周波信号の位相変化が生じます。したがって、ポール上の高周波信号と電子回路内の基準信号との間の位相差も変化します。変更が処理された後、ドライブ出力回路はアラーム信号を送信して、サイロ内に材料があるかどうかを検出します。


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